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电子元器件详细资料 » IC[25801] » NSBA124EDXV6T1G
型号:NSBA124EDXV6T1G类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式制造商:ON Semiconductor
封装:SOT-563,SOT-666描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563

详细参数

类别晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
系列-
制造商ON Semiconductor
晶体管类型2 个 PNP 预偏压式(双)
电流_集电极(Ic)111最大222100mA
电压_集电极发射极击穿111最大22250V
电阻器_基极(R1)111欧22222k
电阻器_发射极(R2)111欧22222k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)60 @ 5mA,10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222250mV @ 300µA,10mA
电流_集电极截止111最大222500nA
频率_转换-
功率_最大500mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商设备封装SOT-563
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市恒佳微电子有限公司朱经理、张小姐0755-82533156 82710336
深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
深圳市银芯龙科技有限公司欧阳13510131896
深圳市鑫远鹏科技有限公司谌小姐15112667855
深圳市金芯阳科技有限公司刘生075584505750
深圳市科翼源电子有限公司朱小姐13510998172
深圳市裕硕科技有限公司雷小姐086-0755-23613962/82706142
深圳市世品佳电子有限公司销售部0755-/83218466/83200833
瀚佳科技(深圳)有限公司李先生 李小姐0755-23140719/23915992
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